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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0330933 (1994-10-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 89 인용 특허 : 0 |
A thin film photovoltaic device comprises a metal back contact having a first p-type semiconductor film of CVD CIS thereon; a second, transparent, n-type semiconductor film of CVD zinc oxide on the CIS and a thin interfacial film of transparent, insulating zinc oxide between the p-type CIS film and
A process for making a thin film heterojunction photovoltaic device comprising the steps of: depositing a first film of p-type copper indium diselenide film on a metal back contact; chemically depositing from solution a thin film of zinc hydroxide on said first film; converting said zinc hydroxide t
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