[특허]Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications

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Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-016/00 C01B-033/02
출원번호	US-0296964 (1994-08-26)
발명자 / 주소	Keck David W. (Moses Lake WA) Nagai Kenichi (Moses Lake WA) Yatsurugi Yoshifumi (Moses Lake WA) Morihara Hiroshi (Vancouver WA) Izawa Junji (Hadano JPX)
출원인 / 주소	Advanced Silicon Materials, Inc. (Moses Lake WA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0

초록 ▼

Disclosed are a processes and reactors for rapidly producing large diameter, high-purity polycrystalline silicon rods for semiconductor applications by the deposition of silicon from a gas containing a silane compound. The equipment includes a reactor vessel which encloses a powder catcher having a cooled surface. Also within the vessel is a cylindrical water jacket which defines multiple reaction chambers. The silicon powder generated in this process adheres to the coolest surfaces, which are those of the powder catcher, and is thereby collected. Little of the powder adheres to the walls of the reaction chambers. In some embodiments, a fan can be provided to increase gas circulation.

대표청구항 ▼

Apparatus for the production of polycrystalline silicon rods from a silicon-bearing gas, the apparatus comprising: a cooled partition which defines multiple reaction chambers wherein polycrystalline silicon rods are grown by the thermal decomposition of a silane compound in a reactant gas and wherein silicon powder is formed in the reactant gas, each chamber having a top and a bottom; a powder catcher that is located at an elevation above the tops of the reaction chambers and that comprises a heat exchange tube array in the shape of a disk that defines a central vertical passageway, the tube array providing a cooled surface is positioned to contact a stream of the reactant gas which flows from the reaction chambers; a reactor vessel which surrounds both the partition and the powder catcher; and a source of the reactant gas, the reactant gas containing a silane gas selected from the group consisting of monosilane, disilane, and mixtures thereof.

이 특허를 인용한 특허 (12)

Keck David W. ; Russell Ronald O. ; Dawson Howard J., Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production.
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Keck, David W.; Russell, Ronald O.; Dawson, Howard J., Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production.
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Keck, David W.; Russell, Ronald O.; Dawson, Howard J., Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production.
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Chen Aihua ; Umotoy Salvador P., Lid assembly for semiconductor processing chamber.
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Dennis T. Garn ; Jerry S. Lee ; James W. Rudolph, Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace.
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Garn, Dennis T.; Lee, Jerry S.; Rudolph, James W., Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace.
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Fuchs Paul,ATX, Method and device for heating carrier bodies.
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Kraus, Heinz, Method for producing crack-free polycrystalline silicon rods.
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Revankar, Vithal; Lahoti, Sanjeev, Method of gas distribution and nozzle design in the improved chemical vapor deposition of polysilicon reactor.
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Kubota Junichi,JPX ; Oda Hiroyuki,JPX, Polycrystal silicon rod and production process therefor.
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Oda, Hiroyuki; Asano, Takuya, Process for producing polycrystalline silicon.
상세보기
Qin, Wenjun, Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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