[특허]Moisture removal and passivation of surfaces

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	F26B-003/00
출원번호	US-0329029 (1994-10-25)
발명자 / 주소	Fine Stephen M. (Emmaus PA) Johnson Andrew D. (Doylestown PA) Langan John G. (Wescosville PA)
출원인 / 주소	Air Products and Chemicals, Inc. (Allentown PA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 0

초록 ▼

The present invention is a process of removal of moisture from surfaces, such as metal conduit for transmission of high purity gases in electronic component fabrication facilities, and the passivation of such metal surfaces to retard the readsorption of moisture, wherein the moisture removal and passivation is enhanced using an agent of the formula: RaSiXbYcZd where a =1-3; b, c, and d are individually 0-3 and a+b+c+d=4; R is one or more organic groups; and at least one of X, Y or Z have a bond to silicon that is readily hydrolyzable. The moisture removal and passivation is conducted at less than 65°C. and at least ambient pressure.

대표청구항 ▼

A process for moisture removal and moisture passivation of a surface on which moisture is absorbed comprising contacting said surface with a flow of a carrier gas at a pressure of at least approximately 14.7 psia containing a drying reagent to remove absorbed moisture from said surface and passivate said surface to retard the readsorption of moisture, wherein said drying reagent is a composition of the formula: RaSiXbYcZd where a=1-3; b, c, and d are individually 0-3 and a+b+c+d=4; R is one or more organic groups; and X, Y and Z are individually hydrogen, halogen, alkoxy, amine or －N(H)Si(R3), but at least one of X, Y or Z have a bond to silicon that is readily hydrolyzable. A process for moisture removal and moisture passivation of an interior surface of a high purity gas piping on which moisture is absorbed, comprising: (a) purging said piping with an inert gas which has a moisture content below 0.1% by volume; and (b) contacting said surface at a pressure of at least approximately 14.7 psia and a temperature of less than approximately 65°C. with a flow of a carrier gas containing a drying reagent to remove absorbed moisture from said surface and passivate said surface to retard the readsorption of moisture, wherein said drying reagent is a composition of the formula: RaSiXbYcZd where a=1-3; b, c, and d are individually 0-3 and a+b+c+d=4; R is one or more organic groups; and X, Y and Z are individually hydrogen, halogen, alkoxy, amine or －N(H)Si(R3), but at least one of X, Y or Z have a bond to silicon that is readily hydrolyzable.

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