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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0225687 (1994-04-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 115 인용 특허 : 0 |
Improved methods for fabricating smart cards are disclosed. Semiconductor die approximately 0.004 to 0.007 inches thick are fabricated using chemical stress relief processes and UV dicing tape. The die are positioned substantially on the neutral axis of a smart card, thereby providing smart cards ha
A method for fabricating a plurality of smart card semiconductor die from a full thickness semiconductor wafer including the following steps: (a) mapping the semiconductor wafer to identify, specific semiconductor die, thus permitting the locations of bad or defective die to be specified for future
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