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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0248682 (1994-05-25) |
우선권정보 | JP-0147004 (1993-05-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 268 인용 특허 : 0 |
Nickel is introduced to a peripheral circuit section and a picture element section on an amorphous silicon film to crystallize them. After forming gate electrodes and others, a source, drain and channel are formed by doping impurities, and laser is irradiated to improve the crystallization. After th
A semiconductor device, comprising: a substrate; and a plurality of thin film transistors formed on the substrate, wherein a part of the plurality of thin film transistors has a crystalline silicon film having a crystal growth direction approximately parallel to a surface of the substrate and the ot
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