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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0375054 (1995-01-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 61 인용 특허 : 0 |
A process of removing both the field metal, such as copper, and a metal, such as copper, embedded into a dielectric or substrate at substantially the same rate by dripping or spraying a suitable metal etchant onto a spinning wafer to etch the metal evenly on the entire surface of the wafer. By this
A process for uniformly removing metal from a metal surface located on a substrate surface and from a metal surface located above metal containing trenches formed in the substrate for producing an essentially planar surface across the substrate and the metal containing trenches therein, comprising:
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