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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0933968 (1992-08-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
An environmental sensor integrated with high current drive device is provided. An environmental sensor is fabricated on a semiconductor substrate using conventional MOS process used for N-well CMOS logic and DMOS power transistors. An N-well is preferably used as a junction etch stop for micromachin
An integrated circuit comprising: a means for sensing an environmental condition external to the integrated circuit; a power output device coupled to the means for sensing for providing a current drive capability, wherein the means for sensing and the power output device are fabricated as a monolith
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