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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0121470 (1993-09-16) |
우선권정보 | JP-0062254 (1992-03-18); JP-0065960 (1992-03-24); JP-0125214 (1992-05-19); JP-0048435 (1993-03-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 0 |
A semiconductor device includes a main insulated gate type switching element having a gate electrode and controllable by a gate voltage applied to the gate electrode, a current detecting insulated gate type switching element connected in parallel to the main insulated gate type switching element, a
A semiconductor device, comprising: a main insulated gate type switching element having a gate electrode and controllable by a gate voltage applied to said gate electrode; a current detecting insulated gate type switching element connected in parallel to said main insulated gate type switching eleme
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