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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0216107 (1994-03-21) |
우선권정보 | JP-0086744 (1993-03-22); JP-0086745 (1993-03-22); JP-0086746 (1993-03-22); JP-0086747 (1993-03-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 292 인용 특허 : 0 |
Amorphous silicon in impurity regions (source and drain regions or N-type or p-type regions) of TFT and TFD are crystallized and activated to lower electric resistance, by depositing film having a catalyst element such as nickel (Ni), iron (Fe), cobalt (Co) or platinum (Pt) on or beneath an amorphou
A method of manufacturing a semiconductor circuit comprising: a first step of forming a semiconductor film substantially in an amorphous state on a substrate, a second step of introducing a catalyst element for promoting crystallization to said semiconductor film at a concentration of 1×1017 to 2×10
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