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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0264046 (1994-06-22) |
우선권정보 | JP-0151953 (1993-06-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
A power semiconductor device comprises a MOSFET 32 having a gate oxide film 63 formed on a semiconductor substrate 51 and a gate voltage applying circuit 33 integrally formed on the semiconductor substrate 51. The gate voltage applying circuit 33 which includes Zener diode 41a converts a DC power so
A power semiconductor device comprising: a power semiconductor element having a gate oxide film formed on a semiconductor substrate; a gate voltage applying circuit integrally formed on said semiconductor substrate, said gate voltage applying circuit including constant-voltage means, said gate volta
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