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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0323411 (1994-10-14) |
우선권정보 | JP-0035179 (1992-02-21); JP-0014891 (1993-02-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 0 |
Silicon substrate is provided with silicon single-crystalline wafer, natural oxide film and poly-crystalline silicon film. The thickness of natural oxide film is controlled to be less than 10 Å. Since the thickness of natural oxide film is made less than 10 Å, heavy metals travel smoothly from silic
A method of manufacturing a semiconductor substrate from a wafer of semiconductor material, comprising the steps of: using a first etching solution to smooth a surface of the wafer; washing the wafer in water to remove said first etching solution; reducing the thickness of an oxide film naturally fo
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