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특허 상세정보

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Nitrogen sorption

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C07F-015/00    B01J-031/00   
미국특허분류(USC) 502/401 ; 502/406 ; 502/167 ; 502/171
출원번호 US-0248580 (1994-05-24)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 19  인용 특허 : 0
초록

Nitrogen-sorbing and -desorbing compositions and methods of using the same are disclosed, which are useful for the selective separation of nitrogen from other gases, especially natural gas.

대표
청구항
▼

A composition comprising a hexacoordinate organometallic complex and a solvent having a solubility parameter of ≥20MPa½, said organometallic complex consisting essentially of a transition metal selected from W, Fe, Co, and Mn and from one to six coordinating ligands capable of providing six coordinating atoms to said organometallic complex, at least one of said coordinating ligands comprising bound nitrogen, said solvent being capable of dissolving said organometallic complex to ≥0.1M wherein said ligands are mono-, bi-, tetra- or pentadentate and are se...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 19

  1. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard. Bipolar transistors with low-resistance emitter contacts. USP2004116815303.
  2. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard. Bipolar transistors with low-resistance emitter contacts. USP2005056893933.
  3. Ahn,Kie Y.; Forbes,Leonard. Bipolar transistors with low-resistance emitter contacts. USP2007097268413.
  4. Gupta, Ramesh; Deckman, Harry W.; Leta, Daniel P.. Gas purification process utilizing engineered small particle adsorbents. USP2014108852322.
  5. Noble, Wendell P.; Forbes, Leonard. Highly conductive composite polysilicon gate for CMOS integrated circuits. USP2003066573169.
  6. Wendell P. Noble ; Leonard Forbes. Highly conductive composite polysilicon gate for CMOS integrated circuits. USP2002126492694.
  7. Sundaram, Narasimhan. Increasing scales, capacities, and/or efficiencies in swing adsorption processes with hydrocarbon gas feeds. USP2014088808426.
  8. Friesen Dwayne T. ; Babcock Walter C. ; Edlund David J. ; Lyon David K. ; Miller Warren K.. Liquid absorbent solutions for separating nitrogen from natural gas. USP2000066077457.
  9. Friesen Dwayne T. ; Babcock Walter C. ; Edlund David J. ; Lyon David K. ; Miller Warren K.. Liquid absorbent solutions for separating nitrogen from natural gas. USP2000106136222.
  10. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard; Farrar, Paul A.. Methods and structures for metal interconnections in integrated circuits. USP2005046879017.
  11. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard; Farrar, Paul A.. Methods and structures for metal interconnections in integrated circuits. USP2003016504224.
  12. Ahn,Kie Y.; Forbes,Leonard; Farrar,Paul A.. Methods and structures for metal interconnections in integrated circuits. USP2007037186664.
  13. Forbes, Leonard; Farrar, Paul A.; Ahn, Kie Y.. Methods and structures for silver interconnections in integrated circuits. USP2003046541859.
  14. Kamakoti, Preeti; Leta, Daniel P.; Deckman, Harry W.; Ravikovitch, Peter I.; Anderson, Thomas N.. Pressure-temperature swing adsorption process. USP2014078784534.
  15. Ravikovitch, Peter I.; Johnson, Robert A.; Deckman, Harry W.; Anderson, Thomas N.. Pressure-temperature swing adsorption process for the separation of heavy hydrocarbons from natural gas streams. USP2014078784535.
  16. Leta, Daniel P.; Deckman, Harry W.; Ravikovitch, Peter I.; Derites, Bruce A.. Rapid temperature swing adsorption contactors for gas separation. USP2014038673059.
  17. Leta, Daniel P.; Kamakoti, Preeti; Johnson, Jack W.; Ravikovitch, Peter I.; Deckman, Harry. Selective sulfur removal process. USP2015049005561.
  18. Deckman, Harry W.. Swing adsorption processes utilizing controlled adsorption fronts. USP2014108858683.
  19. Leta, Daniel P.; Kamakoti, Preeti; Deckman, Harry W.; Ravikovitch, Peter I.; Anderson, Thomas N.. Temperature swing adsorption process for the separation of target species from a gas mixture. USP2014078784533.

IPC 상위 출원인