[특허]Focused ion beam etching apparatus

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Focused ion beam etching apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-014/46 B23K-015/00
출원번호	US-0385638 (1995-02-08)
우선권정보	JP-0261516 (1990-09-28)
발명자 / 주소	Yamakage Yasuhiro (Kyoto JPX)
출원인 / 주소	Shimadzu Corporation (Kyoto JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0

초록 ▼

An apparatus for effecting micro fabrication of wafer surfaces by emitting a focused ion beam thereto, in which a gas is jetted through a gas introducing pipe to an ion emitter whereby the gas is adsorbed to an emitter surface. A potential difference is applied between the emitter and an extraction electrode to extract ions. The ions are then accelerated and focused into a focused ion beam having an etching function. The focused ion beam is deflected by a deflecting electrode to form a predetermined pattern. The focused ion beam is decelerated by action of a decelerating electrode prior to impingement on a wafer under treatment. Consequently, a wafer surface is etched to define the predetermined pattern without damage to the wafer surface.

대표청구항 ▼

An etching method using a focused ion beam, comprising the steps of: directing halogen gas to a cooled field ionization type emitter disposed in one end region of a vacuum chamber; obtaining a focused ion beam having a chemical etching function by extracting halogen ions from said emitter by field ionization and accelerating and focusing said halogen ions; deflecting said focused ion beam in a predetermined pattern; decelerating said focused ion beam before impingement on a sample surface; and allowing said focused ion beam to impinge in deceleration on said sample surface disposed in the other end of said vacuum chamber.

이 특허를 인용한 특허 (10)

Deering,Andrew; Kane,Terence L.; Kaszuba,Philip V.; Moszkowicz,Leon; Scrudato,Carmelo F.; Tenney,Michael, Apparatus and method for selected site backside unlayering of si, GaAs, GaAlAsof SOI technologies for scanning probe microscopy and atomic force probing characterization.
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Banks Bruce A. (Olmsted Township OH) Rutledge Sharon K. (Bedford OH), Atmospheric pressure method and apparatus for removal of organic matter with atomic and ionic oxygen.
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Pratt, Allen, Conditioning chamber for metallurgical surface science.
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Ring, Rosalinda M.; Li, Susan Xia; Blish, II, Richard, Gas-assisted etch with oxygen.
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Shichi, Hiroyasu; Matsubara, Shinichi; Saho, Norihide; Yamaoka, Masahiro; Arai, Noriaki, Ion beam device.
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Shichi, Hiroyasu; Matsubara, Shinichi; Saho, Norihide; Yamaoka, Masahiro; Arai, Noriaki, Ion beam device.
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Naranjo, Brian; Gimzewski, James; Putterman, Seth, Method and apparatus for generating nuclear fusion using crystalline materials.
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Veerasamy, Vijayen S.; Petrmichl, Rudolph Hugo, Method of ion beam milling a glass substrate prior to depositing a coating system thereon, and corresponding system for carrying out the same.
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Vijayen S. Veerasamy ; Rudolph Hugo Petrmichl, Method of ion beam milling substrate prior to depositing diamond like carbon layer thereon.
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Thomsen, Scott V.; Petrmichl, Rudolph Hugo; Veerasamy, Vijayen S.; Longobardo, Anthony V.; Luten, Henry A.; Hall, Jr., David R., Method of manufacturing window using ion beam milling of glass substrate(s).
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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