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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0316996 (1994-10-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 175 인용 특허 : 0 |
Power semiconductor device structures and assemblies with improved heat dissipation characteristics and low impedance interconnections include a thermally-conductive dielectric layer, such as diamondlike carbon (DLC) overlying at least portions of the active major surface of a semiconductor chip, wi
A stacked power semiconductor device configuration comprising: first and second power semiconductor device structures, each of said power semiconductor device structures comprising: a semiconductor chip having an active major surface and an opposite major surface, contact pads on the active major su
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