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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0294740 (1994-08-23) |
우선권정보 | JP-0235461 (1993-08-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 264 인용 특허 : 0 |
A silicon film is crystallized in a predetermined direction by selectively adding a metal element having a catalytic action for crystallizing an amorphous silicon and annealing. In manufacturing TFT using the crystallized silicon film, TFT provided such that the crystallization direction is roughly
A semiconductor device comprising: a substrate; and a plurality of thin film transistors formed on the substrate, wherein the thin film transistors each have a crystalline silicon region crystal-grown in a crystal growth direction parallel to the substrate and a silicon oxide layer covering the crys
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