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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0433883 (1995-05-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 36 인용 특허 : 0 |
A semiconductor device is presented having an improved high voltage protection scheme that comprises an integrated Schottky diode (28) in conjunction with a plurality of back to back diodes (29) to limit a voltage potential that may arise between the gate (26) and drain terminals (27) of a semicondu
A power MOSFET device having high voltage protection from voltages exceeding 500 volts, comprising: a semiconductor substrate of a first conductivity type serving as a drain electrode; an active region of the first conductivity type deposited on the semiconductor substrate; an insulating layer conti
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