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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0214750 (1994-03-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 171 인용 특허 : 0 |
Three dimensional deep contact amorphous silicon/microcrystalline silicon (a-Si/m
In a process for fabricating solar cells, the improvement comprising: forming high aspect ratio contacts in a carrier collection material by repetitive pulsed laser doping to create p and n contacts having a depth substantially greater than the width thereof, resulting in very high current collectio
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