[특허]Misted deposition apparatus for fabricating an integrated circuit

Misted deposition apparatus for fabricating an integrated circuit 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-014/00
출원번호	US-0320218 (1994-10-11)
발명자 / 주소	McMillan Larry D. (Colorado Springs CO) Paz de Araujo Carlos A. (Colorado Springs CO) Roberts Tommy L. (Colorado Springs CO)
출원인 / 주소	Symetrix Corporation (Colorado Springs CO 02)
인용정보	피인용 횟수 : 50 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method and apparatus are disclosed for forming thin films of chemical compounds utilized in integrated circuits. The method includes steps of forming a precursor liquid comprising a chemical compound in a solvent, providing a substrate within a vacuum deposition chamber, producing a mist of the precursor liquid, and flowing the mist into the deposition chamber while maintaining the chamber at ambient temperature to deposit a layer of the precursor liquid on the substrate. The liquid is dried to form a thin film of a solid material on the substrate, then the integrated circuit is completed to include at least a portion of the film of solid material in a component of the integrated circuit.

대표청구항 ▼

Apparatus for fabricating an integrated circuit comprising: (a) a deposition chamber for containing a substrate; (b) a substrate holder located within said deposition chamber for supporting said substrate, said substrate holder defining a substrate plane; (c) means for producing a mist of a liquid precursor; (d) means, in fluid communication with said means for producing, for flowing said mist through said deposition chamber substantially evenly across said substrate in a direction substantially parallel to said substrate plane to form a film of the liquid precursor on said substrate, wherein said means for flowing includes: a barrier plate disposed in spaced relation above said substrate holder in parallel thereto; an injection nozzle assembly for injecting said mist into said deposition chamber disposed in close proximity to and around a periphery of one side of said substrate; an exhaust assembly disposed in close proximity to and around the periphery of an opposite side of said substrate from said injection nozzle assembly; and wherein said substrate, said barrier plate, said injection nozzle assembly, and said exhaust assembly collectively define a semi-enclosed area within said deposition chamber.

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