[특허]Thin film transistor with means to prevent threshold variations

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/76 H01L-031/036
출원번호	US-0563778 (1995-11-27)
우선권정보	JP-0324664 (1993-12-22)
발명자 / 주소	Muragishi Takeo (Hyogo JPX)
출원인 / 주소	Mitsubhisi Denki Kabushiki Kaisha (Tokyo JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 0

초록 ▼

Upward and downward variation of a threshold voltage of a TFT is effectively suppressed by a semiconductor device and a method of manufacturing the same. In the semiconductor device, a conductive layer is formed on the substantially same plane as a semiconductor layer forming a channel region and source/drain regions of the TFT, and is spaced from the semiconductor layer by a predetermined distance. A predetermined potential is applied to the conductive layer. Thereby, an electric field is applied from the conductive layer to the channel region of the TFT, so that variation of the threshold voltage of the TFT is effectively prevented.

대표청구항 ▼

A semiconductor device having a thin film transistor, comprising: a semiconductor layer forming source/drain regions and a channel region of said thin film transistor; a conductive layer which is formed substantially on the same plane as said semiconductor layer with a predetermined space therebetween, a predetermined potential being applied to said conductive layer to prevent threshold voltage variations of said thin film transistor; and a gate electrode formed on a surface of said semiconductor layer with a gate insulating layer therebetween, said gate electrode being electrically separated from said conductive layer.

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