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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0440413 (1995-05-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 64 인용 특허 : 0 |
The present invention relates generally to a new structure and method for capped copper electrical interconnects. More particularly, the invention encompasses a novel structure in which one or more of the copper electrical interconnects within a semiconductor substrate are capped to obtain a robust
A method of making capped electrical interconnect comprising the steps of: (a) depositing at least one seed layer on a substrate, (b) depositing at least one resist layer over said at least one seed layer, (c) exposing and developing said at least one resist layer so as to define at least one openin
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