최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0357653 (1994-12-16) |
우선권정보 | JP-0331626 (1993-12-27); JP-0144967 (1994-06-27) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 175 인용 특허 : 0 |
A method for producing a semiconductor film, includes the steps of: (a) forming an amorphous semiconductor film on a substrate having a surface with an insulating property; (b) introducing a material for accelerating crystallization of the amorphous semiconductor film into at least a part of the amo
A method for producing a semiconductor film, comprising the steps of: (a) forming an amorphous semiconductor film on a substrate having a surface with an insulating property; (b) introducing a material for accelerating crystallization of the amorphous semiconductor film into at least a part of the a
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.