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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0363619 (1994-12-23) |
우선권정보 | JP-0332321 (1993-12-27); JP-0220212 (1994-09-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 6 |
On an n-type GaAs semiconductor substrate, an n-type cladding layer formed of AlGaInP system crystal almost in lattice matching with the semiconductor substrate, an active layer and a p-type cladding layer formed of AlGaInP system crystal almost in lattice matching with the semiconductor substrate a
A semiconductor laser device, comprising: a GaAs semiconductor substrate of one of a first conductivity type and a second conductivity type opposite to said first conductivity type; a first cladding layer on said GaAs semiconductor substrate of an AlGaInP system crystal of the same conductivity type
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