[특허]Spin-on-glass nonetchback planarization process using oxygen plasma treatment

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/28
출원번호	US-0496017 (1995-06-28)
발명자 / 주소	Pan Sheng-Liang (Hsin-Chu TWX) Chang Hsien-Wen (Hsin-Chu TWX) Chen Chien-Fong (Taichung TWX)
출원인 / 주소	Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Hsin-Chu TWX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 0

초록 ▼

An improved method is described for planarizing dielectric layers which are formed between conductor layers in integrated circuits A three layer spin-on-glass sandwich is formed comprising a first silicon oxide layer, a spin-on-glass layer and a second silicon oxide layer. The improvement comprises performing an O2 plasma treatment on the first silicon oxide layer prior to forming the overlying spin-on-glass layer. The method prevents delamination (separation) between the first silicon oxide layer and the middle spin-on-glass layer.

대표청구항 ▼

A method for planarization of dielectric layers between conductor layers in integrated circuit devices comprising: providing a semiconductor substrate having devices formed within and on its surface and with at least one patterned conductive layer thereover, depositing a first silicon oxide layer over said patterned conductive layer, exposing said first silicon oxide layer to a plasma containing only oxygen (O2) thereby roughening the surface of said first silicon oxide layer, covering said first silicon oxide layer with a spin-on-glass layer, baking and vacuum degassing said spin-on-glass layer, curing said spin-on-glass layer, and forming a second silicon oxide layer over said spin-on-glass layer to complete said planarization.

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