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Apparatus for producing a single crystal

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B01D-009/00
출원번호 US-0592072 (1996-01-26)
우선권정보 DE-0003357 (1995-02-02)
발명자 / 주소
  • Von Ammon Wilfried (Burghausen DEX) Dornberger Erich (Burghausen DEX) Weidner Herber (Haiming DEX) Pardubitzki Alfred (Burghausen DEX)
출원인 / 주소
  • Wacker Siltronic Gesellschaft fur Halbleitermaterialien AG (Burghausen DEX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 24  인용 특허 : 6

초록 ▼

Apparatus for producing a single crystal of semiconductor material in accordance with the Czochralski method, has a cooling means which cools the growing single crystal and is constructed in two parts, The first is an upper part duct system through which a liquid coolant flows. The second is a lower

대표청구항 ▼

An apparatus for producing a single crystal of semiconductor material in accordance with the Czochralski method, comprising at least one heat shield which shields a growing single crystal, and a cooling means which cools the growing single crystal, wherein the cooling means is constructed in two par

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Yamashita Ichiro (Omiya JPX) Shimizu Koutaro (Omiya JPX) Banba Yoshiaki (Urawa JPX), Apparatus for growing silicon crystals.
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  2. Drechsel Dieter (Bruchkoebel DEX) Jericho Karl (Hanau DEX), Apparatus for pulling monocrystals.
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  3. Tomioka Junsuke (Hiratsuka JPX) Nagai Kazunori (Miyazaki JPX) Matsuzaki Akihiro (Hiratsuka JPX), Apparatus for pulling up a single crystal.
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  4. Zumbrunnen Allen D. (419 Sherman Ave. Salt Lake City UT 84115), High frequency resistance melting furnace.
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  5. Yamashita Ichiro (Omiya JPX) Shimizu Koutaro (Omiya JPX) Banba Yoshiaki (Urawa JPX) Shimanuki Yasushi (Hasuda JPX) Higuchi Akira (Omiya JPX) Furuya Hisashi (Itami JPX), Method and apparatus for growing silicon crystals.
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  6. Tomioka Junsuke (Hiratsuka JPX) Nagai Kazunori (Miyasaki JPX) Matsuzaki Akihiro (Hiratsuka JPX), Single crystal pulling apparatus.
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이 특허를 인용한 특허 (24)

  1. Hoshi, Ryoji; Kitagawa, Koji; Fusegawa, Izumi; Ohta, Tomohiko, Apparatus for growing single crystal, method for producing single crystal utilizing the apparatus and single crystal.
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  2. Sasaura, Masahiro; Kohda, Hiroki; Fujiura, Kazuo, Apparatus for producing crystals.
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  3. Kishida,Yutaka; Tamaki,Teruyuki, Crucible for the growth of silicon single crystal and process for the growth thereof.
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  4. Kulkarni, Milind, Crystal puller and method for growing a monocrystalline ingot.
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  5. Morimoto, Shigeo; Monden, Hiroshi; Ebi, Daisuke; Kotooka, Toshirou, Device and method for producing single-crystal ingot.
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  6. Von Ammon Wilfried,DEX ; Olkrug Hans,DEX ; Dornberger Erich,DEX ; Segieth Franz,DEX, Device and method for pulling a single crystal.
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  7. Ren, Bing Yan; Ren, Li, Device and process for growing Ga-doped single silicon crystals suitable for making solar cells.
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  8. Kotooka Toshirou,JPX ; Shimanuki Yoshiyuki,JPX ; Kamogawa Makoto,JPX, Device for manufacturing single crystals.
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  9. Cherko, Carl F.; Cook, Robert D., Fluid sealing system for a crystal puller.
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  10. Kim Kyong-Min ; Luter William L. ; Ferry Lee W. ; Braun Robert J. ; Ilic Srdjan,ITX ; Dioda Mauro,ITX ; Tosi Paolo,ITX ; Gobbo Marco,ITX ; Martini Umberto,ITX, Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon.
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  11. Ferry Lee ; Ishii Yasuhiro, Heat shield assembly for crystal puller.
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  12. Ferry, Lee W.; Schrenker, Richard G.; Banan, Mohsen, Heat shield assembly for crystal puller.
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  13. Lee W. Ferry ; Steven L. Kimbel ; Kirk D. McCallum ; Richard G. Schrenker, Heat shield assembly for crystal pulling apparatus.
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  14. Kim, Chang Bum; Kimbel, Steven L.; Libbert, Jeffrey L.; Banan, Mohsen, Low defect density silicon having a vacancy-dominated core substantially free of oxidation induced stacking faults.
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  15. Kim,Chang Bum; Kimbel,Steven L.; Libbert,Jeffrey L.; Banan,Mohsen, Low defect density silicon having a vacancy-dominated core substantially free of oxidation induced stacking faults.
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  16. Abe, Takao; Yamada, Toru, Method and apparatus for growing single crystal.
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  17. Friestad, Kenneth, Method and apparatus for refining a molten material.
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  18. Kotooka Toshiro,JPX ; Shimanuki Yoshiyuki,JPX ; Kamogawa Makoto,JPX, Method and device for manufacturing single crystals.
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  19. Weber, Martin; Schmidt, Herbert; von Ammon, Wilfried, Method and device for producing semiconductor wafers of silicon.
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  20. Von Ammon, Wilfried; Virbulis, Janis; Weber, Martin; Wetzel, Thomas; Schmidt, Herbert, Method and device for the production of a silicon single crystal, silicon single crystal, and silicon semiconductor wafers with determined defect distributions.
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  21. Von Ammon Wilfried,DEX ; Weidner Herbert,DEX ; Thanner Ludwig,DEX, Method for determining the diameter of a growing monocrystal.
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  22. Togashi,Kazuya; Danbata,Masayoshi; Arai,Kuniaki; Matsumoto,Kaori, Method of manufacturing epitaxial silicon wafer.
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  23. Izumi Teruo,JPX ; Watanabe Hideki,JPX, Methods for pulling a single crystal.
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  24. Okui, Masahiko; Nishimoto, Manabu; Kubo, Takayuki; Kawahigashi, Fumio; Asano, Hiroshi, Production device for high-quality silicon single crystals.
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