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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0250702 (1994-05-27) |
우선권정보 | JP-0149871 (1993-05-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 6 |
A buffer layer having crystal orientation in a (111) face is formed on a semiconductor single-crystal (100) substrate and a ferroelectric thin film having crystal orientation in a (111) or (0001) face is then formed over the buffer layer. The buffer layer is preferably formed of MgO at a temperature
An oriented ferroelectric thin film element comprising: a semiconductor single crystal (100) substrate; a buffer layer having a crystal orientation of (111) and random in-plane directions, said buffer layer being provided on said semiconductor single-crystal substrate; and a ferroelectric thin film
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