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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0153080 (1993-11-16) |
우선권정보 | JP-0087780 (1991-03-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 95 인용 특허 : 19 |
An electro-optic device featuring an semiconductor device formed by providing an insulator over a gate electrode, and anodic oxidizing only the sides of the gate electrode.
A method for forming a electro-optical device having a plurality of thin film transistors including at least one n-type of thin film transistor and at least one p-type of thin film transistor comprising: forming a plurality of semiconductor islands on a insulating surface, each semiconductor island
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