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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0379103 (1995-01-27) |
우선권정보 | KR-0023361 (1991-12-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 85 인용 특허 : 0 |
A light emitting diode (LED) and resistors for varying the light intensity of the LED are formed on a single chip. Each of the LED portion and the resistor portion includes an active layer and a clad layer successively deposited on a substrate of the chip. The substrate may be doped with one of P-ty
A variable light intensity light emitting diode comprising: a substrate doped with at least one of P-type and N-type dopants, said substrate having a first side and second side which is opposite said first side; a light emitting diode portion for emitting light having a first active layer formed ove
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