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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0295957 (1994-08-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 0 |
A multilevel interconnect structure which has a first horizontal metallic conductor disposed on the top of a previously formed first contact/via dielectric where the contact/via dielectric contains a contact/via hole. A horizontal interconnect is deposited over the first contact/via dielectric and h
A process for forming a metallic interconnect structure in an integrated circuit, comprising the steps of: forming a dielectric layer; forming a sacrificial layer on the dielectric layer; forming a mask having an opening to the sacrificial layer; etching the sacrificial layer through the mask to for
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