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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0309873 (1994-09-20) |
우선권정보 | JP-0234724 (1993-09-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 0 |
A method depositing a layer onto a wafer is disclosed. The method has the steps of: affixing the wafer to a wafer support within a deposition chamber by using a single-pole electrostatic chuck; depositing a layer onto a surface of the wafer by plasma by CVD; exhausting a deposition gas used for depo
A method depositing a layer onto a wafer, comprising the steps of: affixing the wafer to a wafer support within a deposition chamber by using a single-pole electrostatic chuck; depositing a layer onto a surface of the wafer by plasma CVD using a deposition gas having at least two reactive component
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