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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0366452 (1994-12-30) |
우선권정보 | JP-0351865 (1993-12-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 3 |
A CVD apparatus in which a process gas containing a carrier gas and a raw material gas is supplied to a process chamber through a supply line. A first part of the carrier gas is supplied from a primary line through a bubbling line and passed through a raw material liquid to derive the raw material g
An apparatus for treating a substrate while supplying a process chamber with a process gas including first and second gases, comprising: the process chamber; a support member arranged in the process chamber for supporting the substrate; a supply line for supplying the process gas into the process ch
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