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Semiconductor treatment apparatus 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-026/00
출원번호 US-0366452 (1994-12-30)
우선권정보 JP-0351865 (1993-12-30)
발명자 / 주소
  • Jinnouchi Shimpei (Nirasaki JPX) Kuno Hiroshi (Komae JPX) Otsuki Hiroshi (Tokyo JPX)
출원인 / 주소
  • Tokyo Electron Limited (Tokyo JPX 03) Kabushiki Kaisha Saginomiya Seisakusho (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 11  인용 특허 : 3

초록

A CVD apparatus in which a process gas containing a carrier gas and a raw material gas is supplied to a process chamber through a supply line. A first part of the carrier gas is supplied from a primary line through a bubbling line and passed through a raw material liquid to derive the raw material g

대표청구항

An apparatus for treating a substrate while supplying a process chamber with a process gas including first and second gases, comprising: the process chamber; a support member arranged in the process chamber for supporting the substrate; a supply line for supplying the process gas into the process ch

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Gomi Hideki (Tokyo JPX), Chemical vapor deposition apparatus.
  2. Nagashima Makoto (Tokyo JPX) Nishizato Hiroshi (Chiba JPX) Ono Hirofumi (Shiga JPX), Chemical vapor deposition method and apparatus therefore.
  3. Boer Hendrik J. (Lochem NLX), Method for transforming a liquid flow into a gas flow and a device for implementing the method.

이 특허를 인용한 특허 (11)

  1. Choi Won-sung,KRX ; Lee Sang-jin,KRX, Apparatus for depositing thin films on semiconductor wafer by continuous gas injection.
  2. Kim,Jun young; Choi,Byoung lyong; Lee,Eun kyung, Diffusion system.
  3. Botelho Alexandre de Almeida ; Del Prato Thomas Anthony ; Ford Robert William, Dynamic blending gas delivery system and method.
  4. de Almeida Botelho, Alexandre; Del Prato, Thomas Anthony; Ford, Robert William, Dynamic blending gas delivery system and method.
  5. Lei Lawrence ; Trihn Son ; Huston Joel M., Fluid delivery system and method.
  6. Rius, Jean-Michel, Gas feed installation for machines depositing a barrier layer on containers.
  7. Matuno Shunichi,JPX ; Kakimoto Yoshiyuki,JPX, Gas pressure regulation in vapor deposition.
  8. Takeshita, Kazuhiro; Nagashima, Shinji; Mizutani, Yoji; Katayama, Kyoshige, Gas treatment apparatus.
  9. Kenji Matsumoto JP; Hiroshi Shinriki JP, Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus.
  10. Hatano Tatsuo,JPX, Process-gas supply apparatus.
  11. Hirose, Masayuki; Okura, Shigeyuki, Source gas supply unit, film forming apparatus and source gas supply method.
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