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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0352034 (1994-11-30) |
우선권정보 | JP-0299818 (1993-11-30); JP-0291407 (1994-11-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 4 |
This invention provides an inexpensive polycrystalline silicon solar cell having a large grain size polycrystalline semiconductor layer grown on a low-cost metallurgical grade (MG) silicon substrate, and a process for its production. The polycrystalline silicon solar cell comprises a MG-silicon subs
A photoelectric conversion device comprising a metallurgical grade silicon substrate, a metal oxide layer provided on the metallurgical grade silicon substrate, selected from at least one of ZnO, NiO, and V2O3 and having a layer thickness of from 0.5 to 10 mm, and a polycrystalline silicon semicondu
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