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Polycrystalline silicon photoelectric conversion device and process for its production

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-031/06
  • H01L-031/0368
  • H01L-031/18
출원번호 US-0352034 (1994-11-30)
우선권정보 JP-0299818 (1993-11-30); JP-0291407 (1994-11-25)
발명자 / 주소
  • Nishida Shoji (Fujisawa JPX)
출원인 / 주소
  • Canon Kabushiki Kaisha (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 4

초록

This invention provides an inexpensive polycrystalline silicon solar cell having a large grain size polycrystalline semiconductor layer grown on a low-cost metallurgical grade (MG) silicon substrate, and a process for its production. The polycrystalline silicon solar cell comprises a MG-silicon subs

대표청구항

A photoelectric conversion device comprising a metallurgical grade silicon substrate, a metal oxide layer provided on the metallurgical grade silicon substrate, selected from at least one of ZnO, NiO, and V2O3 and having a layer thickness of from 0.5 to 10 mm, and a polycrystalline silicon semicondu

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Barnett Allen M. (Newark DE) Hall Robert B. (Newark DE) Rand James A. (Oxford PA) Ford David H. (Wilmington DE), Deposited-silicon film solar cell.
  2. Noguchi Shigeru (Hirakata JPX) Iwata Hiroshi (Neyagawa JPX) Sano Keiichi (Takatuki JPX), Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate.
  3. Kotval ; Peshotan S. ; Strock ; Harold B., Siliconsolar cells with low-cost substrates.
  4. Barnett Allen M. (Newark DE), Thin film photovoltaic solar cell and method of making the same.

이 특허를 인용한 특허 (14)

  1. Ukiyo, Noritaka; Saito, Tetsuro; Shoji, Tatsumi; Iwakami, Makoto; Yoshino, Takehito; Nishida, Shoji; Iwane, Masaaki; Mizutani, Masaki, Apparatus for producing semiconductor thin films on moving substrates.
  2. Rana, Virendra V., Crystalline silicon solar cells on low purity substrate.
  3. Nishida, Shoji, Fabrication process of solar cell.
  4. Shoji Nishida JP, Fabrication process of solar cell.
  5. Fritzemeier, Leslie G.; Vineis, Christopher J., Large-grain crystalline thin-film structures and devices and methods for forming the same.
  6. Shoji Nishida JP; Katsumi Nakagawa JP; Noritaka Ukiyo JP; Masaaki Iwane JP, Liquid phase growth method of silicon crystal, method of producing solar cell, and liquid phase growth apparatus.
  7. Nakagawa, Katsumi; Nishida, Shoji, Liquid-phase growth method, liquid-phase growth apparatus, and solar cell.
  8. Ukiyo, Noritaka; Saito, Tetsuro; Shoji, Tatsumi; Iwakami, Makoto; Yoshino, Takehito; Nishida, Shoji; Iwane, Masaaki; Mizutani, Masaki, Method for producing semiconductor thin films on moving substrates.
  9. Fritzemeier, Leslie G., Methods for forming crystalline thin-film photovoltaic structures.
  10. Fritzemeier, Leslie G.; Raffaelle, Ryne P.; Leitz, Christopher, Polycrystalline semiconductor layers and methods for forming the same.
  11. Katsumi Nakagawa JP; Shoji Nishida JP, Process for producing semiconductor device module.
  12. Rao, G. R. Mohan, Semiconductor devices with graded dopant regions.
  13. Nakamura, Nobuhiko; Matsunami, Toru; Nishikawa, Kimito, SiC epitaxial substrate and method for producing the same.
  14. Yamazaki,Shunpei; Arai,Yasuyuki, Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same.
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