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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0401017 (1995-03-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 5 |
The present invention comprises a metal semiconductor field effect transistor (MESFET) 100. The MESFET 100 comprises a semiconductor substrate 110 composed of gallium arsenide (GaAs) which has a top surface. This MESFET transistor 100 further comprises a contiguous first conductivity type source are
A method for fabricating a metal semiconductor field effect transistor (MESFET) comprising the steps of: (a) forming a passivation dielectric layer on top of a semiconductor substrate; (b) forming two active areas under said dielectric layer by utilizing a first photoresist for defining and implanti
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