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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0431948 (1995-05-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 55 인용 특허 : 10 |
A high frequency power FET device (22) is integrated with passive components (23,24,26,28,31), an electro-static discharge (ESD) device (27,127,227), and/or a logic structure (29) on a semiconductor body (13) to form a monolithic high frequency integrated circuit structure (10). The high frequency p
A monolithic high frequency integrated circuit structure comprising: a semiconductor body including a substrate of a first conductivity type and a first layer of the first conductivity type formed on the substrate, the substrate having a higher dopant concentration than the first layer, wherein the
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