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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0387238 (1995-02-13) |
우선권정보 | JP-0079002 (1993-03-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 199 인용 특허 : 0 |
Method of fabricating a semiconductor device, such as a thin-film transistor, having improved characteristics and improved reliability. The method is initiated with formation of a thin amorphous silicon film on a substrate. A metallization layer containing at least one of nickel, iron, cobalt, and p
A method of manufacturing an insulated gate thin film transistor comprising the steps of: disposing a catalyst substance adjacent to a silicon semiconductor film on a glass substrate, said catalyst capable of promoting a crystallization of said silicon semiconductor film; annealing said semiconducto
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