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특허 상세정보

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Chemical vapor deposition method

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/44   
미국특허분류(USC) 437/187 ; 118/715 ; 118/724 ; 427/576
출원번호 US-0449748 (1995-05-25)
우선권정보 JP-0345057 (1991-12-26); JP-0345066 (1991-12-26); JP-0338799 (1992-12-18); JP-0338800 (1992-12-18); JP-0338803 (1992-12-18)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 15  인용 특허 : 0
초록

A starting gas feeding apparatus for forming a gaseous starting material from a liquid starting material and feeding the gaseous starting material into a reaction chamber of a CVD apparatus, comprises; a container that holds the liquid starting material, pressure reducing means for reducing the pressure inside the container, and heating means for heating the liquid starting material held in the container; the liquid starting material being boiled.

대표
청구항
▼

A CVD method for forming a deposited film on a substrate using a CVD apparatus comprising: evacuating the inside of a reaction chamber of the CVD apparatus using exhaust means; supporting a substrate in the reaction chamber using substrate supporting means; and feeding a gaseous starting material into the reaction chamber using a gas feeding means wherein, said gas feeding means comprises a container that holds a liquid starting material, pressure reducing means that reduces the pressure inside said container, and heating means that heats said starting m...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 15

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IPC 상위 출원인