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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0251987 (1994-06-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 64 인용 특허 : 0 |
A SiGe-HBT structure for device integration on thin-SOI substrates is disclosed. The emitter and base regions are vertical while the collector contact is lateral in the otherwise MOS-like device structure. This allows one to integrate a SiGe base, the device capacitances are reduced, and the transis
A method for forming a vertical heterojunction bipolar transistor having a lateral connector contact, comprising: 1) providing a silicon on insulator (SOI) substrate; 2) placing an epitaxial layer on the substrate, the epitaxial layer comprising a collector layer, a base layer above the collector la
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