최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0300067 (1994-09-01) |
우선권정보 | JP-0192100 (1990-07-20); JP-0080688 (1991-03-19) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
A chemical vapor deposition apparatus comprises a reaction chamber for annealing a silicon wafer, a transportation mechanism for transporting the silicon wafer to the reaction chamber, a detecting device for detecting temperature of the reaction chamber, and an operation control device for receiving
A method of manufacturing thermally annealed films, comprising the steps of: decreasing internal temperature of a furnace to 150°C. or less; inserting a semiconductor wafer into the furnace; increasing the internal temperature of the furnace to a first temperature; reducing internal pressure of the
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.