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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0342530 (1994-11-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 2 |
A hybrid focal plane array has p-n junction photodiodes formed in a substrate (10) of HgCdTe which is passivated by a cap layer (12) of Cd-rich CdTe. The active surface of the HgCdTe substrate is passivated by annealing at a temperature sufficient to support interdiffusion between the Cd-rich CdTe c
A method for type-converting a substrate of mercury cadmium telluride from a first conductivity type to a second conductivity type comprising the steps of: providing a substrate of mercury cadmium telluride of said first conductivity type; capping said substrate with a layer of cadmium-rich cadmium
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