최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0493042 (1995-06-21) |
우선권정보 | JP-0164484 (1994-06-22) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 4 |
A process for producing a heat-resistant and high-purity porous silicon oxide material having excellent crystallinity and uniformity in pore size. The process includes: a first step of dispersing a substance containing silicon in an aqueous solution of a surfactant and adjusting the pH of the disper
A process for producing a porous silicon oxide material, comprising: a first step of dispersing a substance containing silicon in an aqueous solution of a surfactant, and adjusting the pH of the dispersion to a value of 10 or higher to increase the activity of the surfactant an effective amount to f
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.