[특허]Chemical vapor deposition-produced silicon carbide having improved properties

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/20
출원번호	US-0439034 (1995-05-11)
발명자 / 주소	Goela Jitendra S. (Andover MA) Burns Lee E. (Woburn MA) Taylor Raymond L. (Saugus MA)
출원인 / 주소	CVD, Incorporated (Woburn MA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 0

초록

b2/methyltrichlorosilane molar ratios of 4-30 and a deposition rate of 1 m

대표청구항 ▼

In a method of producing optically transmitting, free-standing, polycrystalline, b2 gas into said deposition chamber under conditions which pyrolytically deposit silicon carbide on said surface, the improvement wherein said conditions comprise a deposition chamber temperature of between about 1400°C. and about 1500°C. a deposition chamber pressure of about 50 torr or less, a H2/methyltrichlorosilane molar ratio of between about 4 and about 30, a deposition rate of about 1 micron per minute or less, and HCl also being introduced into said deposition chamber in a HCl/methyltrichlorosilane ratio of at least about 0.15.

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Arena, Chantal; Werkhoven, Christiaan, Abatement of reaction gases from gallium nitride deposition.
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Goela Jitendra S. (Andover MA) Burns Lee E. (Reading MA), Bonding of silicon carbide components.
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Kordina Olle,SEX ; Hallin Christer,SEX ; Janzen Erik,SEX, Device and a method for epitaxially growing objects by CVD.
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Miyata Tsuguo,JPX ; Kuroyanagi Akihiro,JPX, Formed SIC product and manufacturing method thereof.
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Forrest, David Thomas; Schauer, Mark Wallace, Free-standing silicon carbide articles formed by chemical vapor deposition and methods for their manufacture.
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Waldhauer, Ann P.; Chacin, Juan M.; Burrows, Brian H., High temperature anneal with improved substrate support.
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Goela,Jitendra S.; Pickering,Michael A., Low resistivity silicon carbide.
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Hong, Sukwon; Tran, Toan; Mallick, Abhijit; Liang, Jingmei; Ingle, Nitin K., Low shrinkage dielectric films.
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Hara, Kazukuni; Nagakubo, Masao; Onda, Shoichi, Manufacturing method for producing silicon carbide crystal using source gases and apparatus for the same.
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Sugawara, Takuya; Aoshima, Hikaru; Jiang, Yousong; Shiono, Ichiro; Nagae, Ekishu, Method for depositing silicon carbide film.
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Neng-Hui Yang TW; Ming-Sheng Yang TW; Chien-Mei Wang TW, Method of removing silicon carbide.
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Pickering, Michael A.; Goela, Jitendra S., Opaque low resistivity silicon carbide.
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Otsuki,Hayashi; Nogami,Satoru, SiC material, semiconductor device fabricating system and SiC material forming method.
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Inaba Takeshi,JPX ; Takeda Syuichi,JPX ; Sato Masanori,JPX, SiC member and a method of fabricating the same.
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Wu, Robert; Ni, Tuqiang, Silicon carbide gas distribution plate and RF electrode for plasma etch chamber.
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Comita, Paul B.; Scudder, Lance A.; Carlson, David K., Silicon-containing layer deposition with silicon compounds.
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Singh, Kaushal K.; Comita, Paul B.; Scudder, Lance A.; Carlson, David K., Silicon-containing layer deposition with silicon compounds.
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Cook, Robert C.; Brors, Daniel L., Thermal gradient enhanced CVD deposition at low pressure.
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Goela, Jitendra S.; Brese, Nathaniel E., Transparent conductive articles.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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