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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0391580 (1995-02-21) |
우선권정보 | JP-0051237 (1994-02-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 262 인용 특허 : 0 |
A process for manufacturing a semiconductor device, particularly a thin film transistor, by using a crystalline silicon film having excellent characteristics. The process comprises forming a silicon nitride film and an amorphous silicon film in contact thereto, introducing a catalyst element capable
A method of manufacturing a semiconductor device over a substrate comprising the steps of: forming a base insulating film on said substrate; forming a semiconductor film comprising silicon on said base insulating film in direct contact therewith; disposing a catalyst capable of promoting a crystalli
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