최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0246265 (1994-05-19) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 95 인용 특허 : 35 |
A microelectromechanical accelerometer having submicron features is fabricated from a single crystal silicon substrate. The accelerometer includes a movable portion incorporating an axial beam carrying laterally-extending high aspect ratio released fingers cantilevered above the floor of a cavity fo
A microelectromechanical accelerometer fabricated by single mask reactive ion etching comprising: a single crystal silicon substrate; a single crystal silicon movable beam element fabricated from said single crystal silicon substrate by a deep vertical silicon reactive ion etch to produce a trench h
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.