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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0417901 (1995-04-06) |
우선권정보 | JP-0097257 (1991-04-16); JP-0097244 (1991-04-26); JP-0129506 (1991-05-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 64 인용 특허 : 7 |
An insulated gate type transistor includes a plurality of major electrode regions, a channel region provided between the plurality of major electrode regions, a gate electrode provided on the channel region with a gate insulating film therebetween, and a semiconductor region provided in contact with
A process for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: a) forming, on a single-crystalline semiconductor region of a substrate, a first insulating film having a first opening portion with a first lateral dimension for exposing the single-crystalline semiconductor region thereth
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