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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0558164 (1995-11-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 81 인용 특허 : 16 |
Disclosed is a method of growing hemispherical grained silicon (HSG silicon) over a conductive seed layer. In a preferred embodiment, a contact window is etched in an insulating layer to expose a circuit node, such as an active area of a substrate or a contact plug leading to an active area. A layer
A capacitor plate, the plate comprising: a conductive seed layer electrically connected to an active area of an underlying substrate; and a rough polysilicon layer comprised of a plurality of silicon grains directly contacting the conductive seed layer, the seed layer positioned between the rough po
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