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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0520030 (1995-08-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 0 |
A chemical vapor deposition apparatus includes a gas manifold having a first gas flow port through which a gas flow path extends, and a first peripheral surface which extends about the first gas flow port. The chemical vapor deposition apparatus further includes a second gas flow port through which
A method for testing a seal of a chemical vapor deposition apparatus gas manifold for leaks, said seal comprising a pair of mutually engaging peripheral surfaces which surround a gas flow port through which a gas flow path extends, the method comprising the steps of: providing a groove along at leas
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