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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0003920 (1993-01-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 192 인용 특허 : 3 |
Disclosed is a method for planarizing a metal surface and forming coplanar metal and dielectric layer surfaces with a minimized degree of dishing (metal recess in an oxide cavity or trough) which results from the uneven polishing with a polishing pad. A cavity is formed in a substrate material, such
A semiconductor processing method of minimizing chemical-mechanical polishing dishing in the formation of a planar outer surface having an electrically conductive area adjacent an insulating dielectric area on a semiconductor wafer, the method comprising the following steps: providing a trough in a
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