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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0539180 (1995-10-05) |
우선권정보 | JP-0270366 (1994-10-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 197 인용 특허 : 3 |
A thin film transistor with high performance and improved productivity is offered using crystalline silicon film. As the crystalline silicon film that constitutes the active layer of thin film transistor, the one which has irregularities of 100 to 700 Åin level difference is used. Such crystalline s
A semiconductor device using a silicon film having crystallinity, wherein an average film thickness of said silicon film is 150 to 800 Å; a surface of said silicon film has irregularities, and a level difference between a highest portion of said irregularities and a lowest portion thereof is 100 to
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