최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0284292 (1994-08-02) |
우선권정보 | JP-0029863 (1990-02-08) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0 |
In a semiconductor strain sensor, for example, using resistors of a polycrystalline semiconductor material such as polycrystalline silicon as strain gauges, the sum of the temperature coefficient of resistance (TCR) of the resistor and the temperature coefficient of strain sensitivity (TCK) is adjus
A method of forming a temperature coefficient of strain sensitivity (TCK) compensated semiconductor strain sensor including a detection circuit, said method comprising the steps of: forming a polycrystalline silicon resistor film including grains of a crystal on an insulative substrate at a stress r
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.