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특허 상세정보

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Method of forming a semiconductor strain sensor

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/77   
미국특허분류(USC) 438/50 ; 438/385 ; 438/17 ; 438/10
출원번호 US-0284292 (1994-08-02)
우선권정보 JP-0029863 (1990-02-08)
발명자 / 주소
  • Fukada Tsuyoshi (Kariya JPX)
출원인 / 주소
  • Nippondenso Co., Ltd. (Kariya JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 0
초록

In a semiconductor strain sensor, for example, using resistors of a polycrystalline semiconductor material such as polycrystalline silicon as strain gauges, the sum of the temperature coefficient of resistance (TCR) of the resistor and the temperature coefficient of strain sensitivity (TCK) is adjusted not by controlling the impurity carrier concentration but by controlling the resistivity, thereby an output fluctuation due to a change in the temperature can be suppressed.

대표
청구항
▼

A method of forming a temperature coefficient of strain sensitivity (TCK) compensated semiconductor strain sensor including a detection circuit, said method comprising the steps of: forming a polycrystalline silicon resistor film including grains of a crystal on an insulative substrate at a stress receiving region of said insulative substrate, said polycrystalline silicon resistor film having a piezoelectric effect and being formed to have a thickness of less than 0.4 m0.4 m1.9×10-3 and 3.9×10-3 W

이 특허를 인용한 특허 (12)

  1. Nagasaka,Hiroshi; Yoshida,Naoki; Kodama,Hiroshi, Apparatus for detecting an amount of strain and method for manufacturing same.
  2. Mayer Paul, Circuit for self compensation of silicon strain gauge pressure transmitters.
  3. Maitland, William David, Electrically insulated strain gage.
  4. Okojie, Robert S.; Fralick, Gustave C.; Saad, George J., Method of assembling a silicon carbide high temperature anemometer.
  5. Gross,Chris, Method of making pressure transducer and apparatus.
  6. Miyashita Satoru,JPX ; Shinozuka Masakazu,JPX ; Sumi Kouji,JPX ; Murai Masami,JPX ; Takahashi Tetsushi,JPX, Piezoelectric thin film, method for producing the same, and ink jet recording head using the thin film.
  7. Toyoda, Inao; Yoshida, Takahiko; Oda, Kiyonari, Semiconductor pressure sensor decreasing creep stress in <110> crystalline axis direction.
  8. Yamada, Nobuyuki; Sakuragi, Masahiro; Yoshida, Takeshi; Hayashi, Kei, Semiconductor pressure sensor, pressure sensor apparatus, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor pressure sensor.
  9. Yamada, Nobuyuki; Sakuragi, Masahiro; Yoshida, Takeshi; Hayashi, Kei, Semiconductor pressure sensor, pressure sensor apparatus, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor pressure sensor.
  10. Mladenovic Dragan, Sensor having an offset voltage and method of operation.
  11. Gross, Chris, Silicon strain gage having a thin layer of highly conductive silicon.
  12. Shinbo, Kunio, Strain sensor of little residual strain and method for fabricating it.

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