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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0275570 (1994-07-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 83 인용 특허 : 7 |
A semiconductor device (and method of manufacturing thereof) having metal leads (114+130) with improved reliability, comprising metal leads (114+130) on a substrate 112, a low-dielectric constant material (116) at least between the metal leads (114+130), and dummy vias (122+134) in contact with the
A semiconductor device having metal leads with improved reliability, comprising: a substrate; at least two metal leads on said substrate; a first insulating layer comprising a low-dielectric constant material between said metal leads, said low-dielectric constant material having a dielectric constan
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