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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0526900 (1995-09-12) |
우선권정보 | JP-0311478 (1994-12-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 40 인용 특허 : 5 |
In the formation of a silicon nitride film, dichlorosilane and ammonia are used as source gas and, for example, argon is used as carrier gas. The pressure (total pressure) inside a chamber is set to about 100 to 300 Torr (1.33×104 to 4.00×104 Pa). The desirable setting is that, for example, dichloro
A method of forming a stacked capacitor, comprising the steps of: (a) preparing a substrate of a silicon film having a silicon oxide film surrounding said silicon film in an upper portion of said substrate; (b) coating a silicon nitride film on the silicon oxide film on said silicon film by low pres
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